| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口；通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；在所述第一开口和第二开口内形成外延层。本发明还提供一种半导体器件。本发明通过刻蚀溶液刻蚀第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近，减小后续形成的源区和漏区的间距，即减小了两侧外延层到沟道区的尺寸，提高了两侧外延层对沟道区的应力，提高所述晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102487008A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010569420.3 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，在位于所述栅极两侧的衬底内形成第一开口；通过刻蚀溶液刻蚀所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口与第一开口贯通，且所述第二开口位于侧墙下方，且与所述侧墙邻近；在所述第一开口和第二开口内形成外延层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||