| 发明名称 | 双重图形化方法 | ||
| 摘要 | 一种双重图形化方法，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底上形成有硬掩膜层，所述压印模具具有第一图形；使用所述压印模具对所述硬掩膜层进行压印，将所述第一图形转移至所述硬掩膜层，压印后的硬掩膜层包括多个突出部；在所述突出部的侧壁上形成侧墙；去除所述压印后的硬掩膜层，所述侧墙分布构成第二图形。本发明有利于改善图形化精度，减小图形的线宽，提高器件集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN102486996A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010573305.3 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种双重图形化方法，其特征在于，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底上形成有硬掩膜层，所述压印模具具有第一图形；使用所述压印模具对所述硬掩膜层进行压印，将所述第一图形转移至所述硬掩膜层，压印后的硬掩膜层包括多个突出部；在所述突出部的侧壁上形成侧墙；去除所述压印后的硬掩膜层，所述侧墙分布构成第二图形。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||