| 发明名称 | 可调节沟道应力的器件与方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可调节沟道应力的器件与方法。提供一种MOS器件(200、300)，包括半导体衬底(202、302)；形成在半导体衬底(202、302)上的沟道；形成在沟道上的栅介电层(204、304)；形成在栅介电层(204、304)上的栅极导体(206、306)；以及形成在栅极两侧的源极与漏极；其中所述栅极导体(206、306)具有产生施加到沟道中的第一应力以调节沟道中载流子的迁移率的形状。本发明可以通过控制刻蚀工艺参数来调节栅极导体的形状，方便地调节沟道中的应力大小，同时可以与其他产生应力的机制组合使用，得到希望得到的沟道应力。 | ||
| 申请公布号 | CN102487086A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010586003.X | 申请日期 | 2010.12.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种MOS器件(200、300)，包括半导体衬底(202、302)；形成在半导体衬底(202、302)上的沟道；形成在沟道上的栅介电层(204、304)；形成在栅介电层(204、304)上的栅极导体(206、306)；以及形成在栅极两侧的源极与漏极；其中所述栅极导体(206、306)具有产生施加到沟道中的第一应力以调节沟道中载流子的迁移率的形状。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||