发明名称 | 覆盖形貌的光学临近效应修正方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法,包括步骤:设计一组测试图形,测量当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的各覆盖尺寸测量值;根据各覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定当前层光刻胶图形覆盖前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值;根据覆盖尺寸规格值对各当前层线条图形的光刻尺寸进行调整,使当前层线条图形覆盖各不同光刻尺寸的前层线条图形覆盖尺寸都大于或等于覆盖尺寸规格值。本发明能够提高当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的覆盖能力、有效保证前层刻蚀图形的不同光刻尺寸的前层线条图形对应的覆盖尺寸都大于覆盖尺寸规格值,使后续的光刻工艺和电学性能满足工艺要求。 | ||
申请公布号 | CN102486605A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
申请号 | CN201010568915.4 | 申请日期 | 2010.12.02 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈福成;阚欢 |
分类号 | G03F1/36(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/36(2012.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、设计一组测试图形,在平板片上形成前层刻蚀图形、在所述前层刻蚀图形上形成当前层光刻胶图形;所述前层刻蚀图形包括多个前层线条图形,所述当前层光刻胶图形包括多个当前层线条图形,在部分所述多个前层线条图形上覆盖有所述当前层线条图形,被覆盖的部分所述多个前层线条图形包括大于1的N种不同光刻尺寸,各所述当前层线条图形的光刻尺寸根据其对应覆盖的所述前层线条图形的光刻尺寸设计;测量所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的N种覆盖尺寸测量值;步骤二、根据所述N种覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值;步骤三、根据所述覆盖尺寸规格值对各所述当前层线条图形的光刻尺寸进行调整,使调整后形成的所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的结构满足所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的覆盖尺寸都大于或等于所述覆盖尺寸规格值。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |