| 发明名称 | PMOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种PMOS晶体管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有N阱；在所述衬底表面形成栅极，所述栅极包括形成在衬底表面的栅介质层和形成在所述栅介质层表面的栅导电层；在所述衬底内形成低掺杂漏极区；在所述栅极侧面形成侧墙；对所述表面形成有侧墙和栅极的衬底进行F离子掺杂；在进行F离子掺杂后的衬底内形成源极区和漏极区。本发明形成的PMOS晶体管的性能高，NBTI效应小。 | ||
| 申请公布号 | CN102054700B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200910198584.7 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 甘正浩;郑凯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有N阱；在所述衬底表面形成栅极，所述栅极包括形成在衬底表面的栅介质层和形成在所述栅介质层表面的栅导电层；在所述衬底内形成低掺杂漏极区；在所述栅极侧面形成侧墙；对所述表面形成有侧墙和栅极的衬底进行F离子掺杂，所述F离子掺杂工艺参数为：能量范围为5000电子伏特至7000电子伏特，注入剂量为2.5×1015cm‑2至4×1015cm‑2，所述F离子掺杂步骤在衬底表面和栅极表面形成Si‑F键及在侧墙与衬底的交界面形成Si‑F键；在进行F离子掺杂后的衬底内形成源极区和漏极区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||