使用气体化学周期性调制之电浆蚀刻方法和装置

摘要

本发明提供一在基底上蚀刻层之方法。执行气体调制循环处理达三循环以上。每一循环包含使用具有淀积气体化学的第一气体化学执行保护层形成阶段，其中每一循环大约0.0055到7秒执行保护层形成阶段；及使用具有反应蚀刻气体化学的第二气体化学经由蚀刻遮罩执行特征之蚀刻阶段，其中每一循环大约0.005到14秒执行蚀刻阶段。保护层形成阶段包含提供淀积气体和自淀积气体形成电浆。每一蚀刻阶段包含提供反应蚀刻气体及自反应蚀刻气体形成电浆。