发明名称 Semiconductor device and method for forming the same
摘要 <p>본 발명의 반도체 소자는 반도체 기판 내 매립된 관통 실리콘 비아와, 상기 관통 실리콘 비아 상부에 구비되되 일부는 상기 반도체 기판 내 매립되고, 일부는 상기 반도체 기판 상에 구비되는 전도성 범프를 포함하여, 관통 실리콘 비아와 전도성 범프와의 접착력을 향상시켜 반도체 소자의 수율을 향상시키는 효과를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101150464(B1) 申请公布日期 2012.06.01
申请号 KR20100085474 申请日期 2010.09.01
申请人 发明人
分类号 H01L21/60;H01L23/48 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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