发明名称 Block Decorder of semiconductor memory device
摘要 <p>본 발명은 반도체 메모리 장치의 블럭 디코더에 관한 것으로, 제1 어드레스 믹싱 신호와 제2 어드레스 믹싱 신호에 응답하여 제1 어드레스 활성화 신호를 생성하는 제1 어드레스 활성화 신호 생성부와, 제1 어드레스 믹싱 신호와 제2 어드레스 믹싱 신호에 응답하여 제2 어드레스 활성화 신호를 생성하는 제2 어드레스 활성화 신호 생성부와, 상기 제1 어드레스 활성화 신호와 상기 제2 어드레스 활성화 신호에 응답하여 제어 신호를 생성하는 제어 신호 발생부, 및 상기 제어 신호에 응답하여 블럭 선택 신호를 생성하는 블럭 선택 신호 발생 회로를 포함하는 반도체 메모리 장치의 블럭 디코더를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101151177(B1) 申请公布日期 2012.06.01
申请号 KR20090135649 申请日期 2009.12.31
申请人 发明人
分类号 G11C16/06;G11C16/08;G11C16/30 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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