| 摘要 |
<p>탄화 규소 반도체장치의 제조방법에 있어서, 어닐 처리시의 규소 및 탄소의 증발을 방지하는 보호막의 막두께 측정을 정밀도가 좋게, 또한, 저코스트로 행하는 것이 가능한 제조방법을 제공한다. 기판 유지구(35)에 웨이퍼 WF를 탑재해서 성막로(32) 내부에 놓고, 성막로(32) 내부를 진공펌프에 의해 가스 배기부(33)를 통해 진공배기하여, 잔존하는 산소를 최대한 제거한 후, Ar이나 헬륨(He) 등의 불활성 가스를 가스 도입부(31)를 통해 도입하면서, 감압하에서 성막로(32) 내부의 온도를 800℃～950℃의 범위로 가열한다. 이 온도에 이르면, 불활성 가스의 유입을 정지하고, 성막로(32) 내부에 소스 가스로서 기화한 에탄올을 가스 도입부(31)를 통해 도입함으로써, 웨이퍼 WF의 전체 표면에 그래파이트 막을 성막한다.</p> |
