| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트라인과; 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 마련하는 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인을 절연시키는 게이트 절연막과; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성되는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막과; 상기 박막 트랜지스터와 접속되며 상기 화소영역 상에 형성되는 화소전극과; 상기 데이터라인 및 게이트라인 중 적어도 어느 하나의 신호라인과 상기 화소전극 간 단차를 유발하기 위해 상기 신호라인과 상기 화소전극 사이의 상기 게이트절연막 및 보호막 중 적어도 어느 하나를 관통하는 단차유발홀을 구비하는 것을 특징으로 한다.</p> |
