发明名称 一种厚膜光刻胶清洗液
摘要 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)5-巯基-3-氨基-三氮唑(e)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物,同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
申请公布号 CN102478768A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201010564171.9 申请日期 2010.11.26
申请人 安集微电子(上海)有限公司 发明人 刘兵;彭洪修;孙广胜
分类号 G03F7/42(2006.01)I 主分类号 G03F7/42(2006.01)I
代理机构 上海翰鸿律师事务所 31246 代理人 李佳铭
主权项 一种厚膜光刻胶的清洗液,该清洗液含有:氢氧化钾、溶剂、醇胺、5‑巯基‑3‑氨基‑三氮唑和聚羧酸类缓蚀剂。
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