发明名称 |
射频(RF)接地返回装置 |
摘要 |
本发明提供了一种射频(RF)接地返回装置,用于在衬底处理期间为等离子体处理腔的处理腔内的RF电流提供低阻抗RF返回路径。所述RF接地返回装置包括被配置为围绕受限容积腔的成套限制环,所述受限容积腔被配置为在衬底处理期间维持刻蚀所述衬底的等离子体。所述RF接地返回装置还包括下电极支承结构。所述RF接地返回装置进一步包括实现RF接触的部件,所述实现RF接触的部件在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供了RF接触,使得所述低阻抗RF返回路径帮助所述RF电流返回到RF源。 |
申请公布号 |
CN102484063A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201080037830.1 |
申请日期 |
2010.08.31 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
拉金德尔·德辛德萨;阿基拉·克施施;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
一种射频(RF)接地返回装置,其用于在处理衬底期间为等离子体处理腔的处理腔内的RF电流提供低阻抗的RF返回路径,包括:成套限制环,其中所述成套限制环被配置为围绕受限容积腔,其中所述受限容积腔被配置为在衬底处理期间维持用于刻蚀所述衬底的等离子体;下电极支承结构;以及实现RF接触的部件,其中所述实现RF接触的部件在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供了RF接触,使得所述低阻抗的RF返回路径帮助所述RF电流返回到RF源。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |