减少金属栅电极和接触孔之间寄生电容的方法

摘要

本发明提供了一种减少金属栅电极和接触孔之间寄生电容的方法，按照后栅极工艺将替代栅极去除形成沟槽后，预先在沟槽的内部两侧制作侧壁层，该侧壁层将金属栅电极和接触孔间隔开一定距离，这样就可以在刻蚀接触孔时，将位于金属栅电极两侧的高介电常数的栅氧化层一同去除，因此金属栅电极和接触孔之间由于不再存在高介电常数的栅氧化层，所以寄生电容大大减少，有效克服了所形成的半导体器件信号延迟或功耗增加的缺陷。

主权项

一种减少金属栅电极和接触孔之间寄生电容的方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区上依次形成界面层和替代栅极；在半导体衬底的表面上，未形成有界面层和替代栅极的位置沉积层间介质层；将替代栅极从掩埋的层间介质层中去除形成沟槽；沉积具有高介电常数的栅氧化层；所述具有高介电常数的栅氧化层覆盖沟槽的底部、侧壁和外部；形成附着于具有高介电常数的栅氧化层表面的沟槽内部两侧的侧壁层；沉积金属栅电极材料，并对所述金属栅电极材料和具有高介电常数的栅氧化层进行化学机械研磨，至显露出层间介质层，形成金属栅电极；刻蚀位于所述沟槽侧壁的具有高介电常数的栅氧化层以及与其接触的层间介质层，形成与有源区接触的接触孔。