| 发明名称 | 结构为金属-绝缘体-金属的电容器制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种结构为金属-绝缘体-金属的电容器制造方法，包括先沉积下电极板、再制造电介质层和最后沉积上电极板，制造电介质层的方法为：沉积SiN层后，沉积SiO2层。本发明提供的方法能够提高MIM电容器的性能参数。 | ||
| 申请公布号 | CN101783286B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910045603.2 | 申请日期 | 2009.01.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邹晓东;徐强;邹建军 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种结构为金属‑绝缘体‑金属的电容器制造方法，包括先沉积下电极板、再制造电介质层和最后沉积上电极板，其特征在于，制造电介质层的方法为：沉积SiN层后，沉积SiO2层；所述沉积SiN层后，沉积SiO2层的过程为：a、沉积厚度小于电介质层厚度除以设定重复次数的SiN层后，沉积SiO2层；b、重复执行步骤a设定的重复次数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||