| 发明名称 | 一种超级结半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种超级结半导体元件，包括：第一导电类型衬底；设置于第一导电类型衬底上的至少一层第一导电类型的第一外延层，所述第一外延层中包括第二导电类型掺杂；设置于第一导电类型的第一外延层上的至少第一导电类型第二外延层；所述第二外延层包括第二导电类型掺杂；第二外延层上设置有器件特征层。以及其制造方法；也会在一定程度上减轻因为多次外延生长、离子注入和扩散而产生的晶格缺陷问题，避免了外延次数过多产生的高成本。同时，刻蚀和填充沟槽的工艺难度随着沟槽大大降低；也减轻了因沟槽深度过深造成应力及晶圆的翘曲的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102479805A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010564950.9 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 朱超群;任文珍;钟树理;陈宇;曾爱平 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种超级结半导体元件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；设置于第一导电类型衬底上的至少一层第一导电类型的第一外延层，所述第一外延层中包括第二导电类型掺杂；设置于第一导电类型的第一外延层上的至少第一导电类型第二外延层；所述第二外延层包括第二导电类型掺杂；第二外延层上设置有器件特征层。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||