发明名称 |
一种反应溅射真空腔室系统 |
摘要 |
本实用新型涉及一种反应溅射真空腔室系统,包括腔室体、靶材、基片,在靶材下面的腔室体一侧靠近靶材的部分设有溅射气体喷射管作为第一气路,在基片外侧高于基片的位置设有反应气体喷射管作为第二气路。本实用新型设置了两套进气气路,第一气路作为溅射气体气路,置于靶材附近以提高靶材溅射率;第二气路作为反应气体气路,置于基片附近以避免“靶中毒”。在第二气路上方(即第一气路与第二气路之间靠近第二气路处)设置阻隔栅格板。本实用新型可获得速率高、稳定性好的反应溅射过程。 |
申请公布号 |
CN202246839U |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201120321954.4 |
申请日期 |
2011.08.30 |
申请人 |
欧阳俊 |
发明人 |
欧阳俊;王现洋 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
济南圣达知识产权代理有限公司 37221 |
代理人 |
王立晓 |
主权项 |
一种反应溅射真空腔室系统,包括腔室体、靶材、基片,其特征是,在靶材下面的腔室体一侧靠近靶材的部分设有溅射气体喷射管作为第一气路,在基片周围高于基片的位置设有反应气体喷射管作为第二气路。 |
地址 |
250061 山东省济南市历下区经十路17923号山东大学千佛校区 |