| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对碳化硅基板以及氧化硅膜进行退火的工序；在碳化硅基板以及氧化硅膜的退火后，在氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102484069A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080039791.9 | 申请日期 | 2010.09.02 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 箕谷周平;中野佑纪;渡部平司;志村考功;细井卓治;桐野嵩史 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张远 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对所述碳化硅基板以及所述氧化硅膜进行退火的工序；和在所述碳化硅基板以及所述氧化硅膜的退火后，在所述氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||