一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法

摘要

一种金属栅极及MOS晶体管形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除多晶硅栅极至露出牺牲氧化层，形成沟槽；去除预定厚度的侧墙中氮化硅层，所述预定厚度与牺牲氧化层的厚度一致；去除沟槽内的牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层的表面与氮化硅层顶部齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。本发明的形成方法，可以防止金属层研磨时发生金属残留导致金属短路的问题，提高半导体器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种金属栅极及MOS晶体管形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙，所述侧墙包含依次位于多晶硅栅极两侧的氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除多晶硅栅极至露出牺牲氧化层，形成沟槽；去除预定厚度的侧墙中氮化硅层，所述预定厚度与牺牲氧化层的厚度一致；去除沟槽内的牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层的表面与氮化硅层顶部齐平；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。