| 发明名称 | 布线层、半导体装置、液晶显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供不从玻璃基板剥离的电极层或布线层。以形成在玻璃基板(31)表面上的Cu-Mg-Al薄膜的密接膜(37)、和形成在密接膜(37)表面上的铜薄膜(38)构成布线层(30)、栅极电极层(32)。在铜、镁以及铝的合计原子数为100at％时，若含镁范围为0.5at％以上5at％以下、含铝的范围为5at％以上15at％以下，则密接膜(37)对玻璃基板(31)的密接性变高，铜薄膜(38)不会从玻璃基板(31)剥离。布线层(30)与液晶显示装置(2)的像素电极(82)电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102484138A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080039374.4 | 申请日期 | 2010.08.19 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;王忠忠 |
| 主权项 | 一种布线层，与玻璃基板接触，其中所述布线层由与所述玻璃基板接触的密接膜和与所述密接膜接触的铜薄膜构成，所述密接膜包含铜、镁以及铝，在铜、镁以及铝的合计原子数为100at％时，含镁的范围为0.5at％以上5at％以下，含铝的范围为5at％以上15at％以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||