| 发明名称 | 一种双栅氧半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种双栅氧半导体器件制造方法，包括：在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、曝光、显影步骤形成厚栅氧层区域的光刻胶图形；以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、通过离子注入工艺向薄栅氧层区域注入氮原子，形成氮注入层；去除半导体晶片表面上的光刻胶；采用热氧化工艺在半导体晶片上的表面一次性形成厚栅氧层与薄栅氧层。本实施例提供的方案，相对比与现有技术，能够减少一次热氧化制程，所以能够简化工艺流程，降低生产成本，并提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102479712A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010564039.8 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王乐 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种双栅氧半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、曝光、显影步骤形成厚栅氧层区域的光刻胶图形；以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、通过离子注入工艺向薄栅氧层区域注入氮原子，形成氮注入层；去除半导体晶片表面上的光刻胶；采用热氧化工艺在半导体晶片表面一次性形成所述厚栅氧层与薄栅氧层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||