发明名称 喷嘴的校准装置及喷嘴的校准方法
摘要 本发明提出一种喷嘴的校准装置和喷嘴的校准方法。该校准装置适用于对半导体机台的喷嘴进行校准,半导体机台的基座具有孔,孔的半径为R1,而喷嘴外侧设置有护盖,喷嘴的外径为R2且护盖的外径为R3。校准装置包括治具,治具包括上部及下部。治具于上部的正面包括凹陷,凹陷包括外部及内部。外部的深度为D1,且外部的半径为R4,R4大于R3。内部的深度为D2,且内部的半径为R5,D2大于D1,而R5大于R2。下部连接于上部的背面,用以将治具固定于基座的孔,下部的半径为R6,而R6小于R1。其中,(R4-R3)、(R5-R2)及(R1-R6)的值在可容许的校准误差范围内。利用本发明所提出的喷嘴的校准装置能精确地定位出喷嘴的座标位置。
申请公布号 CN101502822B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200810005455.7 申请日期 2008.02.04
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 王伟强;陈政菁;林永安;曾任生
分类号 B05B13/04(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I 主分类号 B05B13/04(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种喷嘴的校准装置,适用于对一半导体机台的一喷嘴进行校准,该半导体机台具有一基座,该基座具有一中央孔,该中央孔的半径为R1,而该喷嘴外侧设置有一护盖,其中该喷嘴的外径为R2且该护盖的外径为R3,该校准装置包括一治具,该治具包括:一上部,在该上部的正面包括一凹陷,该凹陷包括:一外部,该外部的深度为D1,且该外部的半径为R4,其中R4大于R3,且(R4‑R3)的值在可容许的校准误差范围内;以及一内部,该内部的深度为D2,且该内部的半径为R5,其中D2大于D1,而R5大于R2,且(R5‑R2)的值在可容许的校准误差范围内;以及一下部,连接于该上部的背面,用以将该治具固定于该基座的中央孔,该下部的半径为R6,而R6小于R1,且(R1‑R6)的值在可容许的校准误差范围内。
地址 中国台湾新竹科学工业园区