| 发明名称 | 高性能应变源极-漏极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀刻，以将凹部扩大成第三轮廓；然后，在具有第三轮廓的凹部中形成源极-漏极结构。本发明还提供了一种高性能应变源极-漏极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102479753A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201110220721.X | 申请日期 | 2011.08.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋学昌;蔡明桓;林宪信;郑振辉;范玮寒 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极结构；在接近所述栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近所述栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将所述凹部扩大成第二轮廓；实施热蚀刻，以将所述凹部扩大成第三轮廓；以及在具有第三轮廓的所述凹部中形成源极‑漏极结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||