图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：层间电介质、线路以及包括光电二极管和器件隔离区的结晶半导体层。层间电介质可以形成在包括读出电路的第一衬底上。线路贯穿该层间电介质以与读出电路连接，并且每个线路根据单位像素形成。该结晶半导体层可以接合在包括线路的层间电介质上。形成在结晶半导体层中的光电二极管与线路电连接。器件隔离区域包括导电杂质，并且形成在结晶半导体层内，从而根据单位像素分隔光电二极管。本发明能够解决暗电流特性。

主权项

一种图像传感器，包括：第一衬底，包括读出电路；层间电介质，位于该第一衬底上；多个线路，贯穿该层间电介质以与该读出电路连接，所述多个线路形成为用于每个单位像素；结晶半导体层，位于该层间电介质上；多个光电二极管，位于该结晶半导体层内，所述多个光电二极管与所述多个线路电连接；器件隔离区域，包括导电杂质，该器件隔离区域设置在该结晶半导体层内，从而根据多个单位像素分隔所述多个光电二极管，其中该读出电路包括位于该第一衬底中与所述多个线路中各个线路和该读出电路电连接的电结区，该电结区包括：位于该第一衬底中的第一导电类型离子注入区域；以及位于该第一导电类型离子注入区域上的第二导电类型离子注入区域；以及所述图像传感器还包括：第一导电类型连接区域，在该电结区上或在该电结区的一侧与各个线路电连接。