用于生长垂直排列的线阵列的晶片的再利用方法

摘要

通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。

主权项

一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括步骤：(a)在硅衬底上制造半导体结构，包括：在所述衬底上形成模板化的氧化物层，其中用于所述模板化的氧化物层的模板包括用于形成半导体结构的所述氧化物层中的开口；以及在所述衬底上生长一组半导体结构，其中所述半导体结构的生长由沉积在所述氧化物层中的所述开口中的催化剂支持；(b)将所制造的半导体结构封入粘合剂材料基体中；(c)将所制造的半导体结构从所述衬底释放；以及(d)通过蚀刻和清洁所述硅衬底以及重复步骤(a)到(c)来再利用所述衬底以制造另外的半导体结构。