发明名称 具有基于二极管的偏压的堆叠式放大器
摘要 本发明描述用于改进放大器的线性的技术。在一示范性设计中,放大器(例如,功率放大器)可包括耦合成堆叠的多个晶体管和至少一个二极管。所述多个晶体管可接收并放大输入信号且提供输出信号。所述至少一个二极管可操作性地耦合到所述堆叠中的至少一个晶体管。每一二极管可将可变偏压电压提供给所述堆叠中一相关联的晶体管。每一二极管可在高输入功率下具有跨所述二极管的较低电压降,且可在高输入功率下将较高偏压电压提供给所述相关联的晶体管。所述至少一个晶体管可归因于来自所述至少一个二极管的较高偏压电压而在高输入功率下具有较高增益。所述较高增益可改进所述放大器的所述线性。
申请公布号 CN102484452A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201080036779.2 申请日期 2010.08.19
申请人 高通股份有限公司 发明人 赵瑜;内森··M·普莱彻
分类号 H03F1/02(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I 主分类号 H03F1/02(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种设备,其包含:放大器,其包含多个晶体管,其耦合成堆叠且用于接收并放大输入信号且提供输出信号,以及至少一个二极管,其操作性地耦合到所述堆叠中的至少一个晶体管,每一二极管将可变偏压电压提供给所述堆叠中一相关联的晶体管。
地址 美国加利福尼亚州