发明名称 |
流体的去污染产品及获得方法 |
摘要 |
本发明涉及流体的去污染产品(10),其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12),并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)。该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)。另外,该金属化层(16)包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。本发明还涉及去污染产品(10)的获得方法,包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102),该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行。多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。 |
申请公布号 |
CN102482119A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201080039087.3 |
申请日期 |
2010.07.13 |
申请人 |
塞里尼·迪乌姆 |
发明人 |
塞里尼·迪乌姆 |
分类号 |
C02F1/28(2006.01)I;C02F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
C02F1/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
张力更 |
主权项 |
流体的去污染产品(10),其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12),并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16),该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag),其特征在于该金属化层(16)还包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。 |
地址 |
法国奥尔良 |