| 发明名称 | 具柱状透光构造的芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型是一种具柱状透光构造的芯片，其包含一个衬底；一个晶层生长在该衬底上；多个透光柱，是与该晶层为一体，且相邻的透光柱之间具有一透光间距；多个金属结合层分别位于各该透光柱的一端；以及一个金属导热板与各金属结合层形成结合。藉此可以芯片的发光面积及发光亮度，可以将芯片所产生的热量适当引导到金属导热板再搭配适当的散热手段将热量散去。 | ||
| 申请公布号 | CN202259403U | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201120176196.1 | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 | 发明人 | 高成 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;姜精斌 |
| 主权项 | 一种具柱状透光构造的芯片，其特征在于，包含：一个衬底；一个晶层，是生长在该衬底上，其具一个N型氮化镓材料层及一个P型氮化镓材料层，且该N型氮化镓材料层贴于该衬底的表面；多个透光柱，是与该晶层为一体，且相邻的透光柱之间具有一透光间距；多个金属结合层，是分别位于各该透光柱的一端；以及一个金属导热板，是与各金属结合层形成结合。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区 | ||