发明名称 |
一种高压发光二极管芯片 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高压发光二极管芯片,包括衬底层、过渡层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和钝化层,所述衬底层和第一半导体层之间设置有过渡层,所述第一半导体层上依次设置有有源层和第二半导体层,所述第二半导体层上设置有透明导电层,其中,所述芯片上还刻蚀有沟槽,所述沟槽将芯片分割为多个相互隔离的单元,所述钝化层位于芯片的表面和侧面。本实用新型通过合理的设计发光二极管芯片,不仅有利于电流的均匀扩展,提高载流子的复合效率,增加光的提取,从而提高发光效率;另外本实用新型设计的芯片能够适应高压交直流的应用,能够节省变压器能量转换的损耗并降低成本。 |
申请公布号 |
CN202259303U |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201120343669.2 |
申请日期 |
2011.09.14 |
申请人 |
武汉迪源光电科技有限公司 |
发明人 |
何建波;王汉华;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种高压发光二极管芯片,包括衬底层、过渡层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和钝化层,所述衬底层和第一半导体层之间设置有过渡层,所述第一半导体层上依次设置有有源层和第二半导体层,所述第二半导体层上设置有透明导电层,其特征在于,所述芯片上还刻蚀有沟槽,所述沟槽将芯片分割为多个相互隔离的单元,所述钝化层位于芯片的表面和侧面。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路227号 |