| 发明名称 | In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体 | ||
| 摘要 | 一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，包含显示In2O3所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa2O4所示的尖晶石结构的化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN102482156A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080036828.2 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;川岛浩和;糸濑将之;井上一吉 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，包含显示In2O3所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa2O4所示的尖晶石结构的化合物。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||