| 发明名称 | 用于稳定结合界面的热处理 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造在衬底上包括半导体材料的薄层的结构的方法，包含以下步骤：在施主衬底的厚度中产生脆性区域；将施主衬底和支撑衬底进行结合；在脆性区域的水平面上分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上以在后者上构成薄层；在分离后对该结构进行热处理，以稳定薄层和支撑衬底之间的结合界面，这样操作可以避免薄层中出现滑移线。 | ||
| 申请公布号 | CN101106073B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200710109608.8 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | 埃里克·内瑞特;塞巴斯蒂安·克瑞迪雷斯 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种制造在衬底上具有半导体材料的薄层的结构的方法，包括以下步骤：在施主衬底的厚度中产生脆性区域；将所述施主衬底与支撑衬底进行结合；在所述脆性区域的水平面上分离所述施主衬底，以将所述施主衬底的一部分转移到所述支撑衬底上并在该支撑衬底上形成薄层；对在所述支撑衬底上包含所述薄层的结构进行热处理，以稳定所述薄层和所述支撑衬底之间的结合界面，其特征在于，通过在1200℃～1250℃的温度下持续时间为5～60秒的条件下实施至少两次快速热退火操作来执行稳定所述结合界面的所述热处理步骤。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼恩 | ||