УСОВЕРШЕНСТВОВАННОЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ КРЕМНИЕВОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ

摘要

В изобретении предложены экономически эффективные способы на линии нанесения слоев полупроводниковых металлов. В частности, в настоящем изобретении предложены способы пиролитического он-лайн осаждения для нанесения слоев полупроводниковых металлов р-типа, n-типа и i-типа в ходе процесса изготовления флоат-стекла. Кроме того, в настоящем изобретении предложены способы пиролитического он-лайн осаждения для создания слоев полупроводниковых металлов одиночных, двойных, тройных и мультипереходных структур p-(i-)n и n-(i-)p типов. Такие слои полупроводниковых металлов p-(i-)n и n-(i-)p типов пригодны для использования для создания фотоэлектрических приборов и привлекательны для изготовителей фотоэлектрических модулей как продукты с "добавленной стоимостью".