| 发明名称 | 一种半导体装置及使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及使用方法。其中半导体装置包括反应腔室、位于反应腔室内的基台、区域选择器、与基台间具有间隙，所述区域选择器覆盖晶圆大小且具有缺口，所述缺口暴露部分晶圆由中心至边缘的区域。本发明不仅可以避免使用整个晶圆作为测试样品的浪费现象，而且还能得到覆盖面更广泛的刻蚀/沉积样品的测试信息。 | ||
| 申请公布号 | CN102479670A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010568293.5 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李凡;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：反应腔室、位于反应腔室内的基台，用于承载晶圆；其特征在于，还包括：区域选择器，所述区域选择器悬置于反应腔内，与基台间具有间隙，所述区域选择器覆盖晶圆大小且具有缺口，所述缺口暴露部分晶圆由中心至边缘的区域。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||