发明名称 |
光掩模对位曝光方法及光掩模组件 |
摘要 |
本发明公开了一种光掩模对位曝光方法及光掩模组件。该方法包含利用第一光掩模的第一图案区曝光基板的光致抗蚀剂层,以形成至少一第一曝光区;利用第二光掩模的第二图案区曝光光致抗蚀剂层,以形成第二曝光区;利用第二光掩模的第三图案区曝光光致抗蚀剂层,以形成第三曝光区。第一曝光区位于第二曝光区与第三曝光区之间。本发明还披露一种光掩模组件。本发明可提高光掩模对位准确度,并减少接合不均现象,亦可以提高工艺效率。 |
申请公布号 |
CN101477318B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200810001619.9 |
申请日期 |
2008.01.04 |
申请人 |
奇美电子股份有限公司 |
发明人 |
黄正邦;萧智梅 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F1/42(2012.01)I;H01L21/68(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种光掩模对位曝光方法,包含:利用第一光掩模的第一图案区对于基板的光致抗蚀剂层进行曝光,以形成至少一第一曝光区;利用第二光掩模的第二图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光,以形成第二曝光区;以及利用该第二光掩模的第三图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光,以形成第三曝光区,其中,该第一曝光区位于该第二曝光区与该第三曝光区之间,该第二光掩模具有多个第二光掩模定位点,这些第二光掩模定位点位于该第二图案区与该第三图案区之间。 |
地址 |
中国台湾苗栗县 |