| 发明名称 | 用于编程和重编程低功率多状态电子熔丝（e熔丝）的电路结构和方法 | ||
| 摘要 | 公开了e熔丝编程/重编程电路的实施例。在一个实施例中，e熔丝(150)具有两个较短的高原子扩散阻力导体层(110、130)，位于一相对较长的低原子扩散阻力导体层的相反侧(121、122)上并位于其同一端(123)。使用电压源(170)改变施加于端子(第一端子＝170/161/110；第二端子＝170/162/130；第三端子＝170/163/导体层120的近端123；和第四端子＝170/164/导体层120的远端124)的电压的极性，以及可选地，改变施加电压的大小，以便控制电子在长导体层内的双向流动，并由此控制在长导体层-短导体层界面(125、126)处非破坏性开路和/或短路的形成。这些开路和/或短路的形成可用来实现不同的编程状态(11、01、10、00)。其他的电路结构实施例包括具有额外的导体层和额外的端子以便实现更多的编程状态的e熔丝。还公开了相关联的e熔丝编程和重编程方法的实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN102473677A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080031353.8 | 申请日期 | 2010.06.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·J·阿布-克哈里尔;T·C·李;李军俊;小R·J·高西尔;C·S·普特纳姆;S·米特拉 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 一种电路结构，包括：熔丝，包括：第一导体层；位于所述第一导体层上的第二导体层；和位于所述第二导体层上的第三导体层，与所述第二导体层相比，所述第一导体层和所述第三导体层均具有相对高的原子扩散阻力；电压源；和所述电压源和所述第一导体层之间、所述电压源和所述第二导体层的相反端之间、以及所述电压源和所述第三导体层之间的电连接，所述电压源能够被选择性地控制，从而允许所述电连接中被选择的电连接处的电压极性被改变，以便选择性地控制电子在所述第二导体层内的双向流动，并由此选择性地控制任何非破坏性开路和短路在所述第二导体层内在与所述第一导体层和所述第三导体层的界面处的形成。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||