发明名称 |
基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡,降低基板表面上的缺陷。在向形成有高防水性的抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的表面上供给纯水(P)的显影处理方法中,从纯水喷嘴(40)向形成有抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的周边部的一处供给纯水(P)形成该纯水(P)的积液(Pa),然后,通过一边继续供给纯水(P)一边将纯水喷嘴(40)从晶片(W)的周边部移动至晶片(W)的中心部,使得形成于晶片(W)的周边部的积液(Pa)移动至晶片(W)的中心部。 |
申请公布号 |
CN102468138A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201110350015.7 |
申请日期 |
2011.11.08 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
竹口博史;吉田勇一 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种基板处理方法,其将表面处理液供给至形成有高防水性膜的基板的表面上,该基板处理方法的特征在于,包括:积液形成工序,从喷嘴将表面处理液供给至所述基板的周边部的一处来形成该表面处理液的积液;和之后的积液移动工序,通过一边继续供给所述表面处理液一边将所述喷嘴从基板的周边部移动至基板的中心部,使得形成于基板的周边部的积液移动至基板的中心部。 |
地址 |
日本,东京都 |