| 主权项 |
1﹒一种于一程序室中处理一工作件之装置,其包含:(a)一第一室其内设置一工作件之支持件其可支持一工作件;(b)一第二室其远离前述第一室并与该室形成流体连通关系以产生自由基;(c)一位于前述第一室内之第三室其设一对电极以便于前述第三室内邻接工作件处形成一电浆;以及(d)一第四室其用以于前述第一室内产生紫外线邻接前述第三室以照射前述工作件。2.如申请专利范围第1项之装置,其中工作件之欲被处理表面系面朝下者。3.如申请专利范围第1项之装置,其中前述第三室系与前述第四室形成流体连通关系者。4.如申请专利范围第1项之装置,其中前述第三室系藉一实质透明之窗而与前述第四室相互分离者。5.如申请专利范围第4项之装置,其中前述实资透明窗系包含石英者。6﹒如申请专利范围第4项之装置,其中前述实质透明窗系包含蓝宝石者。7﹒如申请专利范围第1项之装置,其中前述第二,第三及第四室系个别控制以便可独立式操作。8.如申请专利范围第1项之装置,其中前述第二,第三及第四室系个别控制以便可以任何组合方式加以操作。9.如申请专利范围第1项之装置,其中前述第四室系位于前述工作件下侧。10﹒如申请专利范围第1项之装置,其中前述第三室之成对电极系位于前述工作件之上侧及下侧。11﹒如申请专利范围第1项之装置,其中来自前述第二至之电浆系于前述工作件下侧被引入至表面处。12﹒如申请专利范围第1项之装置,其中工作件为一晶片。13﹒一种处理晶片用之方法,其包含下列步骤:(a)将一晶片输送至一程序室中;(b)施加一低于周围压力至前述室中以保持该室处于较周围压力为低之压力下:(c)提供一第一气体至一远处电浆室中而该远处电浆室与前述室相分离并可产生一远处电浆;(d)产生一第二电浆其与前述第一电浆相分离,并邻近晶片之表面:(e)以来自一紫外线能源之紫外线能量照射晶片,该能源位于前述真空室内并与晶片相互分离;以及(f)使远处电浆流经设于前述室内之晶片。图示简单说明:图1系显示一装载锁定件之样本实施例其相容于半导体积体电路晶片之真空处理及运送作业;图2系显示不同尺寸之颗粒于不同压力下经由空气下落所需之时间图;图3系显示一程序站中之样本晶片输送结构,其中晶片系藉着使输送臂28由相邻之真空装载锁定室12处经由中间室输送口30而被置放于三组销上;图4系显示一多晶片真空晶片载体10之样本实施例近视图,该载体系放置于一类似图1之装置锁定件内侧之位置记录平台18上;图5A及5B系显示一包括程序模组及晶片输送级以及一装载锁定件之样本程序站之平面视图;图6系显示一程序模组之组态,其可充作图5A及5B中所示之程序站内侧之一程序模组使用;图7系显示当图6之电浆反应器处于实际蚀刻程序期间时之关闭位置图;图8系显示图6之反应器之平面视图;图9系显示一样本实施例中之图6程序模组之改良型式,其包括藉原处产生之紫外线而得之程序加强能力且亦具备能力以便提供激励之种类(其藉经由一远离晶片表面之额外电浆放电之气流所产生)至晶片表面处。此模组系显示于一程序站中,该程序站仅包含一模组及一装载锁定件,但亦可使用于类似图5A及5B之实施例;图10系显示一程序站之实际组态其可用以实施本文中所述之某些实施例;图11系显示一装载锁定控制系统用之流程图其可于一真空程序系统中提供颗粒之保护;图12系一详细结构图其可于图9之实施例中藉着原处产生之紫外线而宝现程序加强之能力;图13系显示图12结构之另一型式,其不具隔离窗(图12之实施例中)而该窗有助于将外线源电浆之气流自接近晶片表面处之种序气流中分离出来;图14系显示图12结构之再一型式,其中提供紫外线源之电浆系产生于约呈圆柱状之电极之间,且其中亦具备能力以便提供激励之种类(其藉经由一远离晶片表面之额外电浆放电之气流而产生)至晶片表面处;图15系显示一结构实施例其可于类似图14之实于例中藉着经由一远离晶片表面之电浆放电而产生激励种类;图16系显示一模组实例其可提供来自一紧邻晶片表面处之电浆轰击之组合能力,并具有来自一远端放电处之激励种类以强烈紫外线照射晶片表面;图17系显示一程序模组之实例其提供两组个别之气体馈送分配器,且其对采用资源种类之化学气相沈积作业尤为有利;图18系显示一程序模组之部分其容许以降低之晶片损坏风险来实施快速之热处理,且图19A,19B昅19C系示意地显示图18之热源作业可如何改变:横越晶片之热量分布,以及图20系显示在图19B及19C之情况下横越一晶片直径之热量之样本图形;图21A及21B系显示在快速热处理实施中用以降低一晶片与一透明真空窗之间之热传导之两种结构,其包括样本气流连接件以供应一洗涤气体至晶片与透明真空壁间之空虚处,且图21C系显示一可最小化热传导之第三方式,以及图21D系显示一样本真空密封件其可与一透明真空壁相连用,该真空壁可于一快速热处理环境中接受广泛之温度变动;图22系显示供快速热处理用之另一热源组态,其中热源全宽为最窄者;图23系显示一程序模组之细节,其可提供高温处理(及清除),电浆轰击用之组合能力,并可提供远处产主之激励种类至晶片表面处:图24系显示一程序模组,其可提供高温处理(及清除),电浆轰击用之组合能力,并可提供远处产生之激励种类至晶片表面处,以及藉原处产主之强烈紫外线照射晶片表面;图25A及258系显示一程序模组其具备绊力以供边缘优先处理之用(且特别供光阻烘焙及/或边突缘移除之用);图26A系显示一程序模组容许清除及喷溅沈积,且图26R及26C系来显示图26A之模组细节,其包括一供晶片于模组内输送之系统;图27系显示一程序模组,其可相容于一真空处理系统,其中多数晶片系于高压下(或随意地于低压下)同时进行处理;图28系显示一离子植入程序模组之样本实例其相容于一真空处理系统:图29A至29G系若干样本实施中之程序气体管内壁之放大载面图其可于一半导体程序模组中提供优点;图30A至30E系显示一分配器结构,并显示于-descum程序中以此结构所获致之改良结果;图31系一电脑控制系统之方块图;图32系显示一具有远处与原处电浆之程序模组;图33及34系显示适合于一真空载体与环境间输送晶片之装载锁定件;图35及36,其分别类似于图13及34,系适合于一真空载体与一输送机构之间将晶片输送至一真空处理系统处之装载锁定室;以及图37至40系显示一具有两灯环之真空处理器之细节。 |
