| 发明名称 | 一种提高通孔中钛和氮化钛填充能力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高通孔中钛和氮化钛填充能力的方法，在对晶片通孔填充钛和氮化钛之前，在一个反应室中用射频激发氩气轰击晶片的表面。实验证明，对晶片表面进行RF处理后能显著提高钛和氮化钛的填充能力，有效保证了钨塞和整个后段工艺的实现。该方法节省了工艺成本，适合应用于较低成本的大规模集成电路的生产中。 | ||
| 申请公布号 | CN102468144A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010544451.3 | 申请日期 | 2010.11.12 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 席华萍;陈建国;李冠欣 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/263(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种提高通孔中钛和氮化钛填充能力的方法，在对晶片通孔填充钛和氮化钛之前，在一个反应室中用射频激发氩气轰击晶片的表面。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号五层 | ||