发明名称 |
光谱纯度滤光片、光刻设备和用于制造光谱纯度滤光片的方法 |
摘要 |
一种透射型光谱纯度滤光片,配置成透射极紫外辐射,且包括具有多个孔的滤光片部分,所述孔用于透射极紫外辐射和抑制第二类型的辐射的透射。所述孔可以通过各向异性蚀刻过程在诸如硅等半导体材料中制造。半导体材料设置有耐氢层,诸如氮硅化合物Si3N4、二氧化硅SiO2或碳化硅SiC。粗糙度特征可以在孔的侧壁中被扩大。滤光片部分的厚度可以小于约20μm,孔的宽度为约2μm至约4μm。 |
申请公布号 |
CN102472975A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201080029678.2 |
申请日期 |
2010.05.11 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
A·亚库宁;V·班尼恩;D·克拉什科夫 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;H05G2/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
吴敬莲 |
主权项 |
一种光谱纯度滤光片,所述光谱纯度滤光片配置成透射极紫外辐射,所述光谱纯度滤光片包括滤光片部分,所述滤光片部分具有透射极紫外辐射和抑制第二类型的辐射的透射的多个孔,所述滤光片部分包括耐氢材料的表面层和半导体材料。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |