| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一区，形成在所述半导体衬底中；第一导电类型的第二区，形成在所述第一区中；环形栅电极，形成在所述第二区和所述第一区的结上方并沿着所述结形成；以及所述第二导电类型的漏极区和源极区，分别形成在所述第一区和所述第二区中，所述漏极区和所述源极区之间具有部分所述栅电极。本发明提供的半导体器件确保了期望的击穿电压并改善了性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102468336A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110302761.9 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 片山雅也;浅野正义 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;郑特强 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一区，形成在所述半导体衬底中；第一导电类型的第二区，形成在所述第一区中；环形栅电极，形成在所述第二区和所述第一区的结上方并沿着所述结形成；以及所述第二导电类型的漏极区和源极区，分别形成在所述第一区和所述第二区中，所述漏极区和所述源极区之间具有部分所述栅电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||