| 发明名称 | 提高相变材料粘附性的实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高相变材料粘附性的实现方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层中形成有下电极；在所述第二绝缘层中刻蚀出GST相变材料填充孔，完全暴露出下电极上表面；在除下电极上表面以外的上述器件结构表面生成粘附层；在GST相变材料填充孔内填充GST相变材料；化学机械平坦化去除第二绝缘层上方的粘附层和GST相变材料。本发明先在GST相变材料填充之前在器件结构表面先形成粘附层，提高了GST相变材料的粘附性，避免了在进行GST物理气相沉积和化学机械平坦化时GST相变材料的剥落问题，工艺操作简单方便，成本降低，器件综合性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102468430A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010534179.0 | 申请日期 | 2010.11.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 任万春;宋志棠 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种提高相变材料粘附性的实现方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层中形成有下电极；在所述第二绝缘层中刻蚀出GST相变材料填充孔，完全暴露出下电极上表面；在除下电极上表面以外的上述器件结构表面生成粘附层；在GST相变材料填充孔内填充GST相变材料；化学机械平坦化去除第二绝缘层上方的粘附层和GST相变材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||