处理基底的方法

摘要

本发明涉及一种表面处理方法，其用于处理位于基底和薄膜多层的层B之间的至少一层A的至少一个表面部分，所述多层的各层真空沉积在具有玻璃功能的基底上，根据本发明，所述方法特征在于：将至少一层薄层A沉积在所述基底的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行；利用至少一个线性离子源，从气体或气体混合物中产生电离物种的等离子体；使层A的至少一个表面部分经受所述等离子体的处理，使得所述电离物物至少部分地改变层A的表面状态；和将至少一层B沉积在层A的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行。

主权项

一种表面处理方法，其用于处理位于基底和薄膜多层的层B之间的至少一层A的至少一个表面部分，所述多层的各层真空沉积在由玻璃或塑料制成的基底上，所述方法特征在于：‑将至少一层薄层A沉积在所述基底的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行；‑利用至少一个线性离子源，从气体或气体混合物中产生电离物种的等离子体；‑使层A的至少一个表面部分经受所述等离子体的处理，使得所述电离物种至少部分地改变层A的表面状态；和‑将至少一层B沉积在层A的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行，其中改变层A的所述表面部分使得沉积在层A上的层B的结晶和/或晶粒形态也被改变。