| 发明名称 | 无定形氧化物和场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 在场效应晶体管中，该场效应晶体管的沟道层包括无定形氧化物，该无定形氧化物包括In、Zn、N和O，该无定形氧化物中的N对N和O的原子组成比(N/(N+O))大于或等于0.01原子百分比并且小于或等于3原子百分比，并且该无定形氧化物不包括Ga，或者，在该无定形氧化物包括Ga的情况下，该无定形氧化物中包含的Ga原子的数量小于N原子的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN101681922B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200880017454.2 | 申请日期 | 2008.05.22 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 板垣奈穗;岩崎达哉 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种无定形氧化物，其中所述无定形氧化物包括In、Zn、N和O，所述无定形氧化物满足：所述无定形氧化物中的N对N和O的原子组成比，即N/(N+O)，大于或等于0.01原子百分比并且小于或等于3原子百分比，所述无定形氧化物中的N对In和Zn之和的原子组成比，即N/(In+Zn)，大于或等于0.01原子百分比并且小于或等于7原子百分比，以及所述无定形氧化物中的In对In和Zn的原子组成比，即In/(In+Zn)，大于或等于15原子百分比并且小于或等于75原子百分比，并且所述无定形氧化物不包括Ga，或者，在所述无定形氧化物包括Ga的情况下，所述无定形氧化物中包含的Ga原子的数量小于N原子的数量。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||