发明名称 |
带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器 |
摘要 |
本发明公开了一种带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器,该激光器包括:带有有源区的FP腔结构、位于该FP腔结构高反射端的反射面,以及位于该FP腔结构出射端的反射面。该激光器具有超短的带有有源区的FP腔结构,该FP腔两端的反射面分别由两片光子晶体区域组成,一片区域为宽禁带光子晶体,另一片区域为形成带边模式的光子晶体。利用本发明,能够实现超短长度的电注入FP腔激光器,并使其在垂直方向出射激光。 |
申请公布号 |
CN101867148B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200910081992.4 |
申请日期 |
2009.04.15 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
郑婉华;周文君;陈微;邢名欣;刘安金;陈良惠 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器,其特征在于,该激光器包括:带有有源区的FP腔结构;位于该FP腔结构高反射端的反射面;以及位于该FP腔结构出射端的反射面;其中,所述位于该FP腔结构高反射端的反射面由宽禁带光子晶体区域组成,且激射波长在禁带内,反射率高于具有带边慢光模式的光子晶体;所述该FP腔结构出射端的反射面由具有带边慢光模式的光子晶体区域组成,反射率低于宽禁带光子晶体。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |