用激光切割半导体晶圆的制作方法

摘要

本发明涉及一种用激光切割半导体晶圆的制作方法，可以有效避免半导体晶粒上的组件在激光切割后因后续制作过程所产生的蚀刻底切现象，包含以下步骤：将保护层覆盖于晶圆表面；对晶圆进行激光切割并分离各晶粒单元；以湿蚀刻去除晶粒上组件的激光切割残余物；以及去除保护层并清洁晶粒上的组件。保护层材质的选择必须考虑下列因素：(1)保护层的材质必须对晶圆有较佳的附着及覆盖能力；(2)保护层的材质必须能够抵挡蚀刻残余物的酸性或碱性蚀刻溶液。

主权项

一种用激光切割半导体晶圆的制作方法，其步骤包含：将保护层覆盖于半导体晶圆表面；对半导体晶圆进行激光切割并分离晶粒单元；以湿蚀刻去除晶粒上组件的激光切割残余物；以及去除保护层并清洁晶粒上组件；其中保护层的材质包含下列特性：能对该半导体晶圆具有良好覆盖能力；能够抵抗去除激光切割残余物的蚀刻溶液；以及于覆盖以及去除该保护层的步骤不会破坏固定半导体晶圆的胶膜特性。