| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶体管的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层，所述氧化层利用沉积工艺制作；在所述氧化层上形成侧墙介质层；去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层，保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层，所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构；以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜，进行离子注入，在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。本发明改善了晶体管的漏电流问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102468173A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010548113.7 | 申请日期 | 2010.11.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层，所述氧化层利用沉积工艺制作；在所述氧化层上形成侧墙介质层；去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层，保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层，所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构；以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜，进行离子注入，在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||