发明名称 |
一种短路点新型布局的快速晶闸管 |
摘要 |
本发明公开了一种快速晶闸管,该快速晶闸管包括硅片,所述硅片上设有门极G、阳极A和阴极K,所述阴极K上设有用于提高快速晶闸管电学性能的短路点,所述短路点呈正六边形且以正六边形分布,所述正六边形分布的短路点之间在取向上呈互补的位置关系。快速晶闸管处于开启状态时在阴极表面下方建立的横向电场分布更均衡,使得阴极电子注入开启更均衡,开启扩展过程更均衡和迅速,阴极总体电子注入强度更高,从而有利于提高器件的di/dt耐量、减少开启功耗和缩短开启时间。 |
申请公布号 |
CN102468330A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010537052.4 |
申请日期 |
2010.11.09 |
申请人 |
杭州汉安半导体有限公司 |
发明人 |
王勇;张海鹏 |
分类号 |
H01L29/74(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/74(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种快速晶闸管,所述快速晶闸管包括硅片,所述硅片上设有门极G、阳极A和阴极K,所述阴极K上设有用于提高快速晶闸管电学性能的短路点(1),其特征在于:所述短路点(1)呈正六边形且以正六边形分布,所述正六边形分布的短路点(1)之间在取向上呈互补的位置关系。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市经济技术开发区3号大街32号杭州汉安半导体有限公司 |