发明名称 |
等离子体掺杂方法以及装置 |
摘要 |
提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内,通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体,通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气,利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力,同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度,使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体,进行等离子体掺杂。作为气体,使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。 |
申请公布号 |
CN101356625B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200780001172.9 |
申请日期 |
2007.10.02 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
奥村智洋;佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
一种等离子体掺杂方法,在真空容器内的试料电极上载置试料,一边向所述真空容器内供应等离子体掺杂用气体,一边使所述真空容器内排气,将所述真空容器内控制为等离子体掺杂用压力,同时使所述真空容器内的所述试料的表面与对置电极的表面之间产生等离子体,向所述试料电极供电,向与所述试料电极相对配置的所述对置电极供应高频电力,在设所述试料表面中与所述对置电极相对一侧的表面的面积为S,所述试料电极与所述对置电极的距离为G时,在满足下式(1)[式1] <mrow> <mn>0.1</mn> <msqrt> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <mo>/</mo> <mi>π</mi> <mo>)</mo> </mrow> </msqrt> <mo><</mo> <mi>G</mi> <mo><</mo> <mn>0.4</mn> <msqrt> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <mo>/</mo> <mi>π</mi> <mo>)</mo> </mrow> </msqrt> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>的状态下,进行向所述试料的表面导入杂质的等离子体掺杂处理。 |
地址 |
日本大阪府 |