| 发明名称 | 发光二极管阵列 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管阵列，包括第一发光二极管装置以及第二发光二极管装置，其中两个发光二极管装置形成于一基底上，且一间隙位于两个发光二极管装置之间。此间隙被填入一聚合物以及多个微结构，该微结构用以将两个发光二极管装置的侧向光折射和/或反射至一发光面。 | ||
| 申请公布号 | CN102468289A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110258931.8 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 | 发明人 | 洪瑞华;卢怡安;郭佩芸 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;文琦 |
| 主权项 | 一种发光二极管阵列，包括：一基底；一第一发光二极管装置，该第一发光二极管装置位于所述基底上；一第二发光二极管装置，该第二发光二极管装置位于所述基底上；一间隙，该间隙位于所述第一发光二极管装置与所述第二发光二极管装置之间；其中，所述间隙被填入至少一种聚合物以及多个微结构，该微结构用以将所述第一发光二极管装置与所述第二发光二极管装置的一侧向光折射和/或反射至一发光面。 | ||
| 地址 | 开曼群岛孟帕里斯&卡尔德P.O.Box.309,优兰地浩斯大开曼岛KY1-1104开曼群岛 | ||