| 发明名称 | 具有埋入式结的垂直晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种具有埋入式结的垂直晶体管及其制造方法。该方法包括：在半导体基板中形成沟槽以形成第一壁体及第二壁体，其中该沟槽具有数个包括该第二壁体的第一侧面及该第一壁体的第二侧面的侧壁；形成具有开口的单侧接触掩模，该开口选择性地只露出该第二壁体的该第一侧面的一部分；及通过将具有不同扩散率的杂质透过该第一侧面的露出的部分扩散至该第二壁体来形成第一杂质层及围绕该第一杂质层的第二杂质层。 | ||
| 申请公布号 | CN102468181A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110349400.X | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴恩实;殷庸硕;卢俓奉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种制造垂直晶体管的结的方法，包括：在半导体基板中形成沟槽以形成第一壁体及第二壁体，其中该沟槽具有数个包括该第二壁体的第一侧面及该第一壁体的第二侧面的侧壁；形成具有开口的单侧接触掩模，该开口选择性地只露出该第二壁体的该第一侧面的一部分；及通过将具有不同扩散率的杂质透过该第一侧面的露出的部分扩散至该第二壁体来形成第一杂质层及围绕该第一杂质层的第二杂质层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||