| 发明名称 | 电子发射源用膏和电子发射源 | ||
| 摘要 | 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。 | ||
| 申请公布号 | CN102473564A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080035612.4 | 申请日期 | 2010.08.03 |
| 申请人 | 东丽株式会社 | 发明人 | 井上武治郎;重田和树;后藤一起;朴善圭 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种电子发射源，是将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||